Антава

STARPOWER SEMICONDUCTOR

Транзистор DG10X06T1

DG10X06T1
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
19 A
Рассеиваемая мощность
196 W
Корпус
TO220
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 123 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%294,28 ₽

Сумма · с НДС 22%294,28 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1294,28 ₽
от 5266,16 ₽
от 25236,17 ₽
от 100211,80 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяDG10X06T1
ПроизводительSTARPOWER SEMICONDUCTOR
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage600 V
Collector current19 A
Рассеиваемая мощность196 W
КорпусTO220
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current30 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge70nC
Kind of packagetube
Turn-on time21ns
Turn-off time208ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 600V; 19A; 196W; TO220

Документация

Документ производителя