Антава

TOSHIBA

Диод DF10G5M4N,LF(D

DF10G5M4N,LF(D
Type of diode
TVS array
Breakdown voltage
5 V
Max. forward impulse current
2 A
Peak pulse power dissipation
30 W
Semiconductor structure
bidirectional
Version
ESD

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяDF10G5M4N,LF(D
ПроизводительTOSHIBA
Type of diodeTVS array
Breakdown voltage5 V
Max. forward impulse current2 A
Peak pulse power dissipation30 W
Semiconductor structurebidirectional
VersionESD
МонтажSMD — поверхностный
КорпусDFN10
Max. off-state voltage3.6 V
Leakage current0.1 µA
Number of channels4
Kind of packagereel, tape
Исходное описание поставщика

Diode: TVS array; 5V; 2A; 30W; bidirectional; ESD; DFN10; Ch: 4

Документация

Документы пока не предоставлены.