TOSHIBA
Диод DF10G5M4N,LF(D
- Type of diode
- TVS array
- Breakdown voltage
- 5 V
- Max. forward impulse current
- 2 A
- Peak pulse power dissipation
- 30 W
- Semiconductor structure
- bidirectional
- Version
- ESD
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | DF10G5M4N,LF(D |
|---|---|
| Производитель | TOSHIBA |
| Type of diode | TVS array |
| Breakdown voltage | 5 V |
| Max. forward impulse current | 2 A |
| Peak pulse power dissipation | 30 W |
| Semiconductor structure | bidirectional |
| Version | ESD |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Корпус | DFN10 |
| Max. off-state voltage | 3.6 V |
| Leakage current | 0.1 µA |
| Number of channels | 4 |
| Kind of package | reel, tape |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: TVS array; 5V; 2A; 30W; bidirectional; ESD; DFN10; Ch: 4
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.