DACO SEMICONDUCTOR
Транзистор DACMI200N1200
- Type of semiconductor module
- MOSFET transistor
- Semiconductor structure
- single transistor
- Drain-source voltage
- 1.2 kV
- Drain current
- 125 A
- Корпус
- SOT227B
- Electrical mounting
- screw
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 6 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%36 097,91 ₽
Сумма · с НДС 22%36 097,91 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 36 097,91 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | DACMI200N1200 |
|---|---|
| Производитель | DACO SEMICONDUCTOR |
| Type of semiconductor module | MOSFET transistor |
| Semiconductor structure | single transistor |
| Drain-source voltage | 1.2 kV |
| Drain current | 125 A |
| Корпус | SOT227B |
| Electrical mounting | screw |
| Polarisation | unipolar |
| On-state resistance | 15 mΩ |
| Pulsed drain current | 500 A |
| Power dissipation | 980 W |
| Технология | SiC |
| Gate-source voltage | -10...20 V |
| Рабочая температура | -55...150 °C |
| Mechanical mounting | screw |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Module; single transistor; 1.2kV; 125A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.