DACO SEMICONDUCTOR
Транзистор DACMH200N1200
HB9434Изображение корпуса
- Type of semiconductor module
- MOSFET transistor
- Semiconductor structure
- transistor/transistor
- Drain-source voltage
- 1.2 kV
- Drain current
- 125 A
- Корпус
- HB9434
- Topology
- MOSFET half-bridge
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и предложение
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | DACMH200N1200 |
|---|---|
| Производитель | DACO SEMICONDUCTOR |
| Type of semiconductor module | MOSFET transistor |
| Semiconductor structure | transistor/transistor |
| Drain-source voltage | 1.2 kV |
| Drain current | 125 A |
| Корпус | HB9434 |
| Topology | MOSFET half-bridge |
| Electrical mounting | screw |
| Polarisation | unipolar |
| On-state resistance | 15 mΩ |
| Pulsed drain current | 500 A |
| Рассеиваемая мощность | 980 W |
| Технология | SiC |
| Gate-source voltage | -10...20 V |
| Рабочая температура | -55...150 °C |
| Mechanical mounting | screw |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Module; transistor/transistor; 1.2kV; 125A; HB9434; screw; 980W
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.