DIODES INCORPORATED

Диод D5V0S1B2LP-7B

DFN1006-2Изображение корпуса

Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5.5 V
Breakdown voltage: 6 V
Max. forward impulse current: 40 A
Semiconductor structure: bidirectional
Корпус: DFN1006-2

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	D5V0S1B2LP-7B
Производитель	DIODES INCORPORATED
Type of diode	TVS
Max. off-state voltage	5.5 V
Breakdown voltage	6 V
Max. forward impulse current	40 A
Semiconductor structure	bidirectional
Корпус	DFN1006-2
Монтаж	SMD — поверхностный
Leakage current	1 µA
Kind of package	reel, tape

Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 6V; 40A; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape

Документация

Документы пока не предоставлены.