DIODES INCORPORATED

D3V3L2BS3LP-7B

Фото уточняется

Max. forward impulse current: 8 A
Semiconductor structure: bidirectional
Монтаж: SMD — поверхностный
Max. off-state voltage: 3.3 V
Number of channels: 2
Ёмкость: 18 pF

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	D3V3L2BS3LP-7B
Производитель	DIODES INCORPORATED
Max. forward impulse current	8 A
Semiconductor structure	bidirectional
Монтаж	SMD — поверхностный
Max. off-state voltage	3.3 V
Number of channels	2
Ёмкость	18 pF
Рабочая температура	-55...150 °C

Исходное описание поставщика

8A; bidirectional; Ch: 2; -55÷150°C

Документация

Документы пока не предоставлены.