DIODES INCORPORATED
Диод D3V3H1U2LP-7B
DFN1006-2Изображение корпуса
- Type of diode
- TVS
- Max. off-state voltage
- 3.3 V
- Breakdown voltage
- 4 V
- Max. forward impulse current
- 35 A
- Semiconductor structure
- unidirectional
- Корпус
- DFN1006-2
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и предложение
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | D3V3H1U2LP-7B |
|---|---|
| Производитель | DIODES INCORPORATED |
| Type of diode | TVS |
| Max. off-state voltage | 3.3 V |
| Breakdown voltage | 4 V |
| Max. forward impulse current | 35 A |
| Semiconductor structure | unidirectional |
| Корпус | DFN1006-2 |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel, tape |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: TVS; 4V; 35A; unidirectional; DFN1006-2; reel,tape
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.