DIODES INCORPORATED
Диод D18V0H1U2LP-7B
X1-DFN1006-2Изображение корпуса
- Type of diode
- TVS
- Peak pulse power dissipation
- 0.35 kW
- Max. off-state voltage
- 18 V
- Breakdown voltage
- 20...24 V
- Max. forward impulse current
- 11 A
- Semiconductor structure
- unidirectional
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и предложение
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | D18V0H1U2LP-7B |
|---|---|
| Производитель | DIODES INCORPORATED |
| Type of diode | TVS |
| Peak pulse power dissipation | 0.35 kW |
| Max. off-state voltage | 18 V |
| Breakdown voltage | 20...24 V |
| Max. forward impulse current | 11 A |
| Semiconductor structure | unidirectional |
| Корпус | X1-DFN1006-2 |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Leakage current | 1 µA |
| Number of channels | 1 |
| Kind of package | reel, tape |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: TVS; 350W; 20÷24V; 11A; unidirectional; X1-DFN1006-2; Ch: 1
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.