DIODES INCORPORATED
Диод D12V0H1U2LP-7B
X1-DFN1006-2Изображение корпуса
- Type of diode
- TVS
- Peak pulse power dissipation
- 0.3 kW
- Max. off-state voltage
- 12 V
- Breakdown voltage
- 13.3...15.75 V
- Max. forward impulse current
- 13 A
- Semiconductor structure
- unidirectional
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и предложение
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | D12V0H1U2LP-7B |
|---|---|
| Производитель | DIODES INCORPORATED |
| Type of diode | TVS |
| Peak pulse power dissipation | 0.3 kW |
| Max. off-state voltage | 12 V |
| Breakdown voltage | 13.3...15.75 V |
| Max. forward impulse current | 13 A |
| Semiconductor structure | unidirectional |
| Корпус | X1-DFN1006-2 |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Leakage current | 50nA |
| Количество каналов | 1 |
| Kind of package | reel, tape |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: TVS; 300W; 13.3÷15.75V; 13A; unidirectional; X1-DFN1006-2
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.