TEXAS INSTRUMENTS
Транзистор CSD88539NDT
- Type of transistor
- N-MOSFET x2
- Технология
- NexFET™
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 60 V
- Drain current
- 15 A
- Рассеиваемая мощность
- 2.1 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 354 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%327,93 ₽
Сумма · с НДС 22%327,93 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 327,93 ₽ | |
| от 10 | 182,29 ₽ | |
| от 25 | 153,89 ₽ | |
| от 50 | 135,94 ₽ | |
| от 100 | 124,39 ₽ | |
| от 250 | 119,26 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | CSD88539NDT |
|---|---|
| Производитель | TEXAS INSTRUMENTS |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Технология | NexFET™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 60 V |
| Drain current | 15 A |
| Рассеиваемая мощность | 2.1 W |
| Корпус | SO8 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 23 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 7.2nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 15A; 2.1W; SO8
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.