TEXAS INSTRUMENTS

Транзистор CSD25485F5T

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Технология: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20 V
Drain current: -5.3 A
Pulsed drain current: -31 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	CSD25485F5T
Производитель	TEXAS INSTRUMENTS
Type of transistor	P-MOSFET
Технология	NexFET™
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20 V
Drain current	-5.3 A
Pulsed drain current	-31 A
Power dissipation	1.4 W
Корпус	PICOSTAR3
Gate-source voltage	±12 V
On-state resistance	0.25 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.3A; Idm: -31A; 1.4W

Документация

Документы пока не предоставлены.