TEXAS INSTRUMENTS

Транзистор CSD25484F4T

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Технология: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20 V
Drain current: -2.5 A
Pulsed drain current: -22 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	CSD25484F4T
Производитель	TEXAS INSTRUMENTS
Type of transistor	P-MOSFET
Технология	NexFET™
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20 V
Drain current	-2.5 A
Pulsed drain current	-22 A
Power dissipation	0.5 W
Корпус	PICOSTAR3
Gate-source voltage	±12 V
On-state resistance	825 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.5A; Idm: -22A; 500mW

Документация

Документы пока не предоставлены.