TEXAS INSTRUMENTS

Транзистор CSD25304W1015T

DSBGA6Изображение корпуса

Type of transistor: P-MOSFET
Технология: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20 V
Drain current: -3 A
Pulsed drain current: -41 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	CSD25304W1015T
Производитель	TEXAS INSTRUMENTS
Type of transistor	P-MOSFET
Технология	NexFET™
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20 V
Drain current	-3 A
Pulsed drain current	-41 A
Power dissipation	0.75 W
Корпус	DSBGA6
Gate-source voltage	±8 V
On-state resistance	92 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; Idm: -41A; 0.75W; DSBGA6

Документация

Документы пока не предоставлены.