TEXAS INSTRUMENTS

Транзистор CSD23382F4T

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -22A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	CSD23382F4T
Производитель	TEXAS INSTRUMENTS
Type of transistor	P-MOSFET
Technology	NexFET™
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-12V
Drain current	-3.5A
Pulsed drain current	-22A
Power dissipation	0.5W
Корпус	PICOSTAR3
Gate-source voltage	±8V
On-state resistance	0.199Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3.5A; Idm: -22A; 500mW

Документация

Документы пока не предоставлены.