TEXAS INSTRUMENTS

Транзистор CSD23202W10T

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -25A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	CSD23202W10T
Производитель	TEXAS INSTRUMENTS
Type of transistor	P-MOSFET
Technology	NexFET™
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-12V
Drain current	-2.2A
Pulsed drain current	-25A
Power dissipation	1W
Корпус	DSBGA4
Gate-source voltage	±6V
On-state resistance	123mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.2A; Idm: -25A; 1W; DSBGA4

Документация

Документы пока не предоставлены.