Антава

TEXAS INSTRUMENTS

Транзистор CSD19537Q3T

CSD19537Q3T
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
NexFET™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
50 A
Рассеиваемая мощность
83 W

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 539 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%386,21 ₽

Сумма · с НДС 22%386,21 ₽

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1386,21 ₽
от 10191,31 ₽
от 50167,42 ₽
от 100156,46 ₽
от 250143,53 ₽
от 500139,04 ₽
от 750134,73 ₽
от 1000132,57 ₽
от 2500121,79 ₽
от 5000115,15 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяCSD19537Q3T
ПроизводительTEXAS INSTRUMENTS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияNexFET™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current50 A
Рассеиваемая мощность83 W
КорпусVSON-CLIP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance12.1 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge16nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Dimensions3.3x3.3mm
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 83W; VSON-CLIP8

Документация

Документ производителя