TEXAS INSTRUMENTS
Транзистор CSD19535KTTT
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- NexFET™
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 100 V
- Drain current
- 200 A
- Pulsed drain current
- 400 A
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 130 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%928,85 ₽
Сумма · с НДС 22%928,85 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 928,85 ₽ | |
| от 3 | 852,87 ₽ | |
| от 10 | 693,31 ₽ | |
| от 50 | 602,14 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | CSD19535KTTT |
|---|---|
| Производитель | TEXAS INSTRUMENTS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | NexFET™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 100 V |
| Drain current | 200 A |
| Pulsed drain current | 400 A |
| Power dissipation | 300 W |
| Корпус | D2PAK |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 4.1 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 75nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.