Антава

TEXAS INSTRUMENTS

Транзистор CSD19535KTTT

CSD19535KTTT
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
NexFET™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
200 A
Pulsed drain current
400 A

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 130 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%928,85 ₽

Сумма · с НДС 22%928,85 ₽

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1928,85 ₽
от 3852,87 ₽
от 10693,31 ₽
от 50602,14 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяCSD19535KTTT
ПроизводительTEXAS INSTRUMENTS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияNexFET™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current200 A
Pulsed drain current400 A
Power dissipation300 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4.1 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge75nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.