Антава

TEXAS INSTRUMENTS

Транзистор CSD19535KTT

CSD19535KTT
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
NexFET™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
200A
Pulsed drain current
400A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяCSD19535KTT
ПроизводительTEXAS INSTRUMENTS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyNexFET™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current200A
Pulsed drain current400A
Power dissipation300W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±20V
On-state resistance4.1mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.