TEXAS INSTRUMENTS
Транзистор CSD19533Q5AT
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- NexFET™
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 100 V
- Drain current
- 100 A
- Power dissipation
- 96 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 252 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%576,05 ₽
Сумма · с НДС 22%576,05 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 576,05 ₽ | |
| от 5 | 470,08 ₽ | |
| от 10 | 418,07 ₽ | |
| от 25 | 350,64 ₽ | |
| от 100 | 310,18 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | CSD19533Q5AT |
|---|---|
| Производитель | TEXAS INSTRUMENTS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | NexFET™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 100 V |
| Drain current | 100 A |
| Power dissipation | 96 W |
| Корпус | VSONP8 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 7.8 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 27nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Dimensions | 5x6mm |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 96W; VSONP8; 5x6mm
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.