Антава

TEXAS INSTRUMENTS

Транзистор CSD19532Q5BT

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
NexFET™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
100 A
Power dissipation
195 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяCSD19532Q5BT
ПроизводительTEXAS INSTRUMENTS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияNexFET™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current100 A
Power dissipation195 W
КорпусVSON-CLIP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge48nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Dimensions5x6mm
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm

Документация

Документы пока не предоставлены.