Антава

TEXAS INSTRUMENTS

Транзистор CSD19531Q5AT

CSD19531Q5AT
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
NexFET™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
100A
Power dissipation
125W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяCSD19531Q5AT
ПроизводительTEXAS INSTRUMENTS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyNexFET™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current100A
Power dissipation125W
КорпусVSONP8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance5.3mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge37nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Dimensions5x6mm
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 125W; VSONP8; 5x6mm

Документация

Документы пока не предоставлены.