Антава

TEXAS INSTRUMENTS

Транзистор CSD19506KTTT

CSD19506KTTT
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
NexFET™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
200 A
Pulsed drain current
400 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяCSD19506KTTT
ПроизводительTEXAS INSTRUMENTS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияNexFET™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current200 A
Pulsed drain current400 A
Power dissipation375 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.