Антава

TEXAS INSTRUMENTS

Радиатор CSD19506KCS

CSD19506KCS
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
NexFET™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
150 A
Power dissipation
375 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяCSD19506KCS
ПроизводительTEXAS INSTRUMENTS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияNexFET™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current150 A
Power dissipation375 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge0.12µC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Heatsink thickness1.14...1.4mm
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 150A; 375W; TO220-3

Документация

Документы пока не предоставлены.