TEXAS INSTRUMENTS
Транзистор CSD19505KCS
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- NexFET™
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 80 V
- Drain current
- 150 A
- Рассеиваемая мощность
- 300 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 560 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%832,22 ₽
Сумма · с НДС 22%832,22 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 832,22 ₽ | |
| от 10 | 532,32 ₽ | |
| от 25 | 472,34 ₽ | |
| от 50 | 432,98 ₽ | |
| от 100 | 399,24 ₽ | |
| от 500 | 335,51 ₽ | |
| от 750 | 324,27 ₽ | |
| от 1000 | 314,89 ₽ | |
| от 2000 | 298,03 ₽ | |
| от 2500 | 290,53 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | CSD19505KCS |
|---|---|
| Производитель | TEXAS INSTRUMENTS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | NexFET™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 80 V |
| Drain current | 150 A |
| Рассеиваемая мощность | 300 W |
| Корпус | TO220-3 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 2.6 mΩ |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 76nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
| Heatsink thickness | 1.14...1.4mm |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 150A; 300W; TO220-3
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.