Антава

TEXAS INSTRUMENTS

Транзистор CSD19501KCS

CSD19501KCS
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
NexFET™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80V
Drain current
100A
Power dissipation
217W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяCSD19501KCS
ПроизводительTEXAS INSTRUMENTS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyNexFET™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80V
Drain current100A
Power dissipation217W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±20V
On-state resistance5.5mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge38nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Heatsink thickness1.14...1.4mm
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 217W; TO220-3

Документация

Документы пока не предоставлены.