TEXAS INSTRUMENTS

Транзистор CSD18511KTTT

CSD18511KTTT

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40 V
Drain current: 110 A
Pulsed drain current: 400 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	CSD18511KTTT
Производитель	TEXAS INSTRUMENTS
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	NexFET™
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	40 V
Drain current	110 A
Pulsed drain current	400 A
Рассеиваемая мощность	188 W
Корпус	D2PAK
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	4.2 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 110A; Idm: 400A; 188W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.