Антава

TEXAS INSTRUMENTS

Транзистор CSD18510KTT

CSD18510KTT
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
NexFET™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
200 A
Pulsed drain current
400 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяCSD18510KTT
ПроизводительTEXAS INSTRUMENTS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyNexFET™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current200 A
Pulsed drain current400 A
Power dissipation250 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.6 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.