TEXAS INSTRUMENTS
Транзистор CSD17581Q3AT
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- NexFET™
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 30 V
- Drain current
- 60 A
- Power dissipation
- 63 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 349 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%343,21 ₽
Сумма · с НДС 22%343,21 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 343,21 ₽ | |
| от 10 | 167,41 ₽ | |
| от 50 | 137,09 ₽ | |
| от 100 | 126,60 ₽ | |
| от 250 | 121,27 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | CSD17581Q3AT |
|---|---|
| Производитель | TEXAS INSTRUMENTS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | NexFET™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 30 V |
| Drain current | 60 A |
| Power dissipation | 63 W |
| Корпус | VSONP8 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 3.9 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 20nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Dimensions | 3.3x3.3mm |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 63W; VSONP8; 3.3x3.3mm
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.