Антава

TEXAS INSTRUMENTS

Транзистор CSD17579Q5AT

CSD17579Q5AT
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
NexFET™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
25 A
Power dissipation
36 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяCSD17579Q5AT
ПроизводительTEXAS INSTRUMENTS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияNexFET™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current25 A
Power dissipation36 W
КорпусVSONP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance11.6 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge5.4nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Dimensions5x6mm
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; 36W; VSONP8; 5x6mm

Документация

Документы пока не предоставлены.