Антава

TEXAS INSTRUMENTS

Транзистор CSD17575Q3T

CSD17575Q3T
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
NexFET™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
60 A
Power dissipation
108 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяCSD17575Q3T
ПроизводительTEXAS INSTRUMENTS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияNexFET™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current60 A
Power dissipation108 W
КорпусVSON-CLIP8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.6 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge23nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Dimensions3.3x3.3mm
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 108W; VSON-CLIP8

Документация

Документы пока не предоставлены.