STMICROELECTRONICS
Диод BZW50-33B
- Type of diode
- TVS
- Max. off-state voltage
- 33 V
- Breakdown voltage
- 36.6 V
- Max. forward impulse current
- 85 A
- Semiconductor structure
- bidirectional
- Корпус
- R6
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | BZW50-33B |
|---|---|
| Производитель | STMICROELECTRONICS |
| Type of diode | TVS |
| Max. off-state voltage | 33 V |
| Breakdown voltage | 36.6 V |
| Max. forward impulse current | 85 A |
| Semiconductor structure | bidirectional |
| Корпус | R6 |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Leakage current | 5 µA |
| Peak pulse power dissipation | 5 kW |
| Kind of package | Ammo Pack |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: TVS; 36.6V; 85A; bidirectional; R6; 5kW; Ammo Pack
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.