STMICROELECTRONICS
Диод BZW50-100B
- Type of diode
- TVS
- Max. off-state voltage
- 0.1 kV
- Breakdown voltage
- 111 V
- Max. forward impulse current
- 28 A
- Semiconductor structure
- bidirectional
- Корпус
- R6
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | BZW50-100B |
|---|---|
| Производитель | STMICROELECTRONICS |
| Type of diode | TVS |
| Max. off-state voltage | 0.1 kV |
| Breakdown voltage | 111 V |
| Max. forward impulse current | 28 A |
| Semiconductor structure | bidirectional |
| Корпус | R6 |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Leakage current | 5 µA |
| Peak pulse power dissipation | 5 kW |
| Kind of package | reel, tape |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: TVS; 111V; 28A; bidirectional; R6; 5kW; reel,tape
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.