TAIWAN SEMICONDUCTOR
Диод BZW06-33B R0
- Type of diode
- TVS
- Max. off-state voltage
- 33.3 V
- Breakdown voltage
- 39 V
- Max. forward impulse current
- 11.1 A
- Semiconductor structure
- bidirectional
- Допуск
- ±5%
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 485 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%44,61 ₽
Сумма · с НДС 22%223,05 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 5 | 44,61 ₽ | |
| от 25 | 35,80 ₽ | |
| от 100 | 31,49 ₽ | |
| от 500 | 29,05 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | BZW06-33B R0 |
|---|---|
| Производитель | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
| Type of diode | TVS |
| Max. off-state voltage | 33.3 V |
| Breakdown voltage | 39 V |
| Max. forward impulse current | 11.1 A |
| Semiconductor structure | bidirectional |
| Допуск | ±5% |
| Корпус | DO204AC |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Leakage current | 1 µA |
| Peak pulse power dissipation | 0.6 kW |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: TVS; 39V; 11.1A; bidirectional; ±5%; DO204AC; 600W
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.