Антава

ONSEMI

Диод BYV32-200G

BYV32-200G
Type of diode
switching
Монтаж
THT — в отверстия
Max. off-state voltage
200 V
Load current
16 A
Semiconductor structure
common cathode, double
Max. forward impulse current
100 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 49 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%413,76 ₽

Сумма · с НДС 22%413,76 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1413,76 ₽
от 3366,74 ₽
от 10306,56 ₽
от 50274,58 ₽
от 100267,06 ₽
от 500250,13 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяBYV32-200G
ПроизводительONSEMI
Type of diodeswitching
МонтажTHT — в отверстия
Max. off-state voltage200 V
Load current16 A
Semiconductor structurecommon cathode, double
Max. forward impulse current100 A
КорпусTO220AB
Kind of packagetube
Max. forward voltage1.15 V
Leakage current0.6 mA
Reverse recovery time35ns
Исходное описание поставщика

Diode: switching; THT; 200V; 16A; Ifsm: 100A; TO220AB; tube; Ir: 600uA

Документация

Документы пока не предоставлены.