VISHAY
Радиатор BYV32-200-E3/45
- Type of diode
- rectifying
- Монтаж
- THT — в отверстия
- Max. off-state voltage
- 200 V
- Load current
- 18 A
- Semiconductor structure
- common cathode, double
- Features of semiconductor devices
- glass passivated, ultrafast switching
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 1 317 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%331,37 ₽
Сумма · с НДС 22%331,37 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 331,37 ₽ | |
| от 10 | 252,38 ₽ | |
| от 50 | 213,85 ₽ | |
| от 100 | 202,29 ₽ | |
| от 150 | 198,44 ₽ | |
| от 500 | 188,80 ₽ | |
| от 1000 | 179,17 ₽ | |
| от 2000 | 173,39 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | BYV32-200-E3/45 |
|---|---|
| Производитель | VISHAY |
| Type of diode | rectifying |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Max. off-state voltage | 200 V |
| Load current | 18 A |
| Semiconductor structure | common cathode, double |
| Features of semiconductor devices | glass passivated, ultrafast switching |
| Max. forward impulse current | 150 A |
| Корпус | TO220AB |
| Kind of package | tube |
| Max. forward voltage | 0.85 V |
| Heatsink thickness | 1.14...1.39mm |
| Reverse recovery time | 25ns |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: rectifying; THT; 200V; 18A; Ifsm: 150A; TO220AB; tube; 25ns
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.