VISHAY
Диод BYT54M-TAP
- Type of diode
- rectifying
- Монтаж
- THT — в отверстия
- Max. off-state voltage
- 1 kV
- Load current
- 1.25 A
- Semiconductor structure
- single diode
- Features of semiconductor devices
- avalanche breakdown effect, glass passivated
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 2 630 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%174,75 ₽
Сумма · с НДС 22%174,75 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 174,75 ₽ | |
| от 10 | 128,03 ₽ | |
| от 50 | 105,23 ₽ | |
| от 100 | 97,06 ₽ | |
| от 250 | 86,81 ₽ | |
| от 500 | 80,16 ₽ | |
| от 1000 | 73,70 ₽ | |
| от 2500 | 66,10 ₽ | |
| от 5000 | 61,35 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | BYT54M-TAP |
|---|---|
| Производитель | VISHAY |
| Type of diode | rectifying |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Max. off-state voltage | 1 kV |
| Load current | 1.25 A |
| Semiconductor structure | single diode |
| Features of semiconductor devices | avalanche breakdown effect, glass passivated |
| Max. forward impulse current | 30 A |
| Корпус | SOD57 |
| Kind of package | Ammo Pack |
| Max. forward voltage | 1.5 V |
| Leakage current | 0.15 mA |
| Reverse recovery time | 100ns |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: rectifying; THT; 1kV; 1.25A; Ifsm: 30A; SOD57; Ammo Pack
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.