Антава

VISHAY

Диод BYT52M-TAP

BYT52M-TAP
Type of diode
rectifying
Монтаж
THT — в отверстия
Max. off-state voltage
1 kV
Load current
1 A
Semiconductor structure
single diode
Features of semiconductor devices
avalanche breakdown effect, glass passivated
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяBYT52M-TAP
ПроизводительVISHAY
Type of dioderectifying
МонтажTHT — в отверстия
Max. off-state voltage1 kV
Load current1 A
Semiconductor structuresingle diode
Features of semiconductor devicesavalanche breakdown effect, glass passivated
Max. forward impulse current50 A
КорпусSOD57
Kind of packageAmmo Pack
Max. forward voltage1.3 V
Leakage current0.15 mA
Reverse recovery time200ns
Исходное описание поставщика

Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; Ifsm: 50A; SOD57; Ammo Pack; 200ns

Документация

Документ производителя