Антава

VISHAY

Диод BYG10KHE3_A/H

BYG10KHE3_A/H
Type of diode
rectifying
Монтаж
SMD — поверхностный
Max. off-state voltage
0.8 kV
Load current
1.5 A
Reverse recovery time
4µs
Semiconductor structure
single diode
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяBYG10KHE3_A/H
ПроизводительVISHAY
Type of dioderectifying
МонтажSMD — поверхностный
Max. off-state voltage0.8 kV
Load current1.5 A
Reverse recovery time4µs
Semiconductor structuresingle diode
Features of semiconductor devicesglass passivated
КорпусDO214AC, SMA
Max. forward voltage1.15 V
Max. forward impulse current30 A
Исходное описание поставщика

Diode: rectifying; SMD; 800V; 1.5A; 4us; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.15V

Документация

Документы пока не предоставлены.