Антава

VISHAY

Диод BYG10JHE3_A/I

BYG10JHE3_A/I
Type of diode
rectifying
Монтаж
SMD — поверхностный
Max. off-state voltage
0.6 kV
Load current
1.5 A
Reverse recovery time
4µs
Semiconductor structure
single diode
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяBYG10JHE3_A/I
ПроизводительVISHAY
Type of dioderectifying
МонтажSMD — поверхностный
Max. off-state voltage0.6 kV
Load current1.5 A
Reverse recovery time4µs
Semiconductor structuresingle diode
Features of semiconductor devicesglass passivated
КорпусDO214AC, SMA
Max. forward voltage1.15 V
Max. forward impulse current30 A
Исходное описание поставщика

Diode: rectifying; SMD; 600V; 1.5A; 4us; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.15V

Документация

Документы пока не предоставлены.