VISHAY
Диод BY527TAP
- Type of diode
- rectifying
- Монтаж
- THT — в отверстия
- Max. off-state voltage
- 0.8 kV
- Load current
- 2 A
- Semiconductor structure
- single diode
- Features of semiconductor devices
- avalanche breakdown effect, glass passivated
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 4 672 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%72,57 ₽
Сумма · с НДС 22%72,57 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 72,57 ₽ | |
| от 10 | 67,92 ₽ | |
| от 100 | 60,10 ₽ | |
| от 250 | 53,96 ₽ | |
| от 500 | 50,43 ₽ | |
| от 1000 | 48,57 ₽ | |
| от 5000 | 46,89 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | BY527TAP |
|---|---|
| Производитель | VISHAY |
| Type of diode | rectifying |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Max. off-state voltage | 0.8 kV |
| Load current | 2 A |
| Semiconductor structure | single diode |
| Features of semiconductor devices | avalanche breakdown effect, glass passivated |
| Ёмкость | 16 pF |
| Max. forward impulse current | 50 A |
| Корпус | SOD57 |
| Kind of package | Ammo Pack |
| Max. forward voltage | 1.65 V |
| Leakage current | 10 µA |
| Reverse recovery time | 4µs |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: rectifying; THT; 800V; 2A; Ifsm: 50A; SOD57; Ammo Pack; 4us
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.