Антава

BRIDGELUX

Транзистор BXW60M1K2J

BXW60M1K2J
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2kV
Drain current
60A
Pulsed drain current
240A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяBXW60M1K2J
ПроизводительBRIDGELUX
Type of transistorN-MOSFET
TechnologySiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2kV
Drain current60A
Pulsed drain current240A
Power dissipation271.7W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage-3...18V
On-state resistance80mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge170nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 240A; 271.7W

Документация

Документ производителя