Антава

BRIDGELUX

Транзистор BXT600P03M

BXT600P03M
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30V
Drain current
-2.7A
Pulsed drain current
-16.4A
Power dissipation
1.51W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяBXT600P03M
ПроизводительBRIDGELUX
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30V
Drain current-2.7A
Pulsed drain current-16.4A
Power dissipation1.51W
КорпусSOT23-3
Gate-source voltage±20V
On-state resistance85mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge6.8nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -16.4A; 1.51W

Документация

Документ производителя