Антава

BRIDGELUX

Транзистор BXT2800N10M

BXT2800N10M
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
1.4 A
Pulsed drain current
8.8 A
Power dissipation
2.8 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяBXT2800N10M
ПроизводительBRIDGELUX
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current1.4 A
Pulsed drain current8.8 A
Power dissipation2.8 W
КорпусSOT23-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.31 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.4A; Idm: 8.8A; 2.8W; SOT23-3

Документация

Документ производителя