Антава

BRIDGELUX

Транзистор BXT1150N10J

BXT1150N10J
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
5.6 A
Pulsed drain current
32 A
Рассеиваемая мощность
2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 24 179 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%32,49 ₽

Сумма · с НДС 22%32,49 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 132,49 ₽
от 1029,06 ₽
от 2523,25 ₽
от 10020,88 ₽
от 25017,43 ₽
от 50015,59 ₽
от 100014,58 ₽
от 300013,79 ₽
от 400012,54 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяBXT1150N10J
ПроизводительBRIDGELUX
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current5.6 A
Pulsed drain current32 A
Рассеиваемая мощность2 W
КорпусSOT89-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance135 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge21nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3

Документация

Документ производителя