Антава

BRIDGELUX

Транзистор BXT1150N10D

BXT1150N10D
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
12.8A
Pulsed drain current
64A
Power dissipation
78W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяBXT1150N10D
ПроизводительBRIDGELUX
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current12.8A
Pulsed drain current64A
Power dissipation78W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20V
On-state resistance135mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge21nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12.8A; Idm: 64A; 78W; TO252

Документация

Документ производителя