BRIDGELUX

Транзистор BXT110P03E

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30 V
Drain current: -35 A
Корпус: PDFN33
Gate-source voltage: ±20 V

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	BXT110P03E
Производитель	BRIDGELUX
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-30 V
Drain current	-35 A
Корпус	PDFN33
Gate-source voltage	±20 V
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -35A; PDFN33

Документация

Документы пока не предоставлены.