Антава

BRIDGELUX

Транзистор BXT1100P02M

BXT1100P02M
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-3 A
Pulsed drain current
-10 A
Power dissipation
1.25 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяBXT1100P02M
ПроизводительBRIDGELUX
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-3 A
Pulsed drain current-10 A
Power dissipation1.25 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±10 V
On-state resistance0.11 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; Idm: -10A; 1.25W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.