Антава

BRIDGELUX

Транзистор BXT1000N06M

BXT1000N06M
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
2A
Pulsed drain current
12A
Power dissipation
1.5W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяBXT1000N06M
ПроизводительBRIDGELUX
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current2A
Pulsed drain current12A
Power dissipation1.5W
КорпусSOT23-3
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.11Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge5.2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 12A; 1.5W; SOT23-3

Документация

Документ производителя