Антава

BRIDGELUX

Транзистор BXT080N03E

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
30A
Pulsed drain current
120A
Power dissipation
12W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяBXT080N03E
ПроизводительBRIDGELUX
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current30A
Pulsed drain current120A
Power dissipation12W
КорпусPDFN8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance8mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge13.2nC
Kind of packagereel
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; Idm: 120A; 12W; PDFN8

Документация

Документы пока не предоставлены.