BRIDGELUX

Транзистор BXS130N10C

PDFN56Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100 V
Drain current: 52 A
Pulsed drain current: 208 A
Рассеиваемая мощность: 57 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	BXS130N10C
Производитель	BRIDGELUX
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	100 V
Drain current	52 A
Pulsed drain current	208 A
Рассеиваемая мощность	57 W
Корпус	PDFN56
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	13 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	35nC
Kind of package	reel
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 52A; Idm: 208A; 57W; PDFN56

Документация

Документы пока не предоставлены.